انتقال وابسته به اسپین در قطعات الکترونیکی مولکولی متصل به اتصالات فرومغناطیسی

در سال های اخیر انتقال قطبیده ی اسپینی در ساختارهای نیمه رسانا به دلیل ظهور در شاخه ی اسپینترونیک، بسیار مورد توجه قرار گرفته است. آینده ی سازه های دیجیتال ممکن است علاوه بر دست کاری بار الکتریکی، با اسپین الکترون نیز سروکار داشته باشد. فرآیندهایی که علاوه بر بار الکتریکی از اسپین الکترون نیز بهره می جویند، به عنوان اسپینترونیک شناخته می شوند. از این روی، جریان وابسته به اسپین در اتصالات مولکولی از اهمیت والایی برخوردار است. در این پایان نامه، جریان اسپینی در حالت موازی و پادموازی، مقاومت مغناطیسی تونل زنی و جریان قطبیده ی اسپینی برای الکترودهای فرومغناطیس از جنس کبالت متصل به مولکول های آلی گروه فنیل مورد بررسی قرار گرفته است. هم چنین اثر افزایش طول مولکول روی جریان قطبیده ی اسپینی در اتصالات مولکولی گوناگون مطالعه شده است. این مطالعات با بهره جستن از فرمول بندی تابع گرین غیر تعادلی و نظریه ی هاکل صورت گرفته است. نتایج حاصل از شبیه سازی و بررسی های انجام شده نشان می دهند که با افزایش قدرت جفت شدگی اتصالات، جریان اسپینی افزایش، و نرخ مقاومت مغناطیسی تونل زنی کاهش می یابد.